High voltage package that reduces system BOM

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LUMILEDS

8K x 8 Static RAM

DESCRIPTION The DS2064 is a 65536–bit low power, fully static random access memory organized as 8192 words by eight bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 4.5V and 5.5V. The chip enable inputs (CE1 and CE2) are used for device selec

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Dallas

8K x 8 Static RAM

DESCRIPTION The DS2064 is a 65536–bit low power, fully static random access memory organized as 8192 words by eight bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 4.5V and 5.5V. The chip enable inputs (CE1 and CE2) are used for device selec

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Dallas

8K x 8 Static RAM

DESCRIPTION The DS2064 is a 65536–bit low power, fully static random access memory organized as 8192 words by eight bits using CMOS technology. The device operates from a single power supply with a voltage input between 4.5V and 5.5V. The chip enable inputs (CE1 and CE2) are used for device selec

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Dallas

3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM

文件：180.79 Kbytes 页数：12 Pages

Maxim

美信

3.3V Single-Piece 8Mb Nonvolatile SRAM

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Maxim

美信

可编程直流电源

DS2000系列开关式可编程直流电源是采用PWM技术的高频开关式直流电源，模块化设计，采用先进的DSP数字控制技术，具有恒压、恒流、恒功率模式输出，可自动交叉变换，维持控制与保护兼顾特性，确保直流电源输出的高精度、低纹波、电压电流动态响应速度快，且效率高达93%；与传统的可控硅电源相比较，高频开关式直流电源具有体积小，重量轻，纹波小，功率因数高、稳定性好等优点，特别是高电压输出稳定性尤其明显；产品主要定位于电子电力生产、蓄电池行业、PCB板制造行业及通讯、PLC供电、机电老化试验、直流电机测试、自动测试系统整合、电池充电及模拟、混合动力汽车与光伏逆变器测试研究单位、实验室对高精度直流电 ◇采用高速DSP进行PID运算,直接输出PWM,模块化设计，高功率密度、体积小、大大降低故障率;\n◇控制电路采用高速CPU,稳压精度高，纹波小;\n◇采用16bit高速ADC,快速精确测量电压、电流值;\n◇具有恒压、恒流、恒功率模式输出，可自动交叉变换，维持控制与保护兼顾特性;\n◇具有过压、过流、过温、短路保护功能，在系统中，可开启过压(OVP),过流(OCP),并可对数值进行修改;\n◇具有9组记忆，可以将常用的参数(电压、电流)设定，方便使用时调用，一次可执行100组不同电压、电流、 \n◇功率、上升时间、运行时间设定，并可连续做999999次循环测试。运行时间最短可以设定;

JETHLEY

吉事励电子

3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM

DS2065W是8Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM，由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用到模块上，就对ML电池充电，利用外部电源为SRAM供电，并允许修改SRAM的内容。VCC断电或超出容许范围时，控制器对SRAM的内容写保护，并用电池为SRAM供电。DS2065W还包含电源监视输出/RST，可以用作微处理器的CPU监控。 \n• 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装 \n• 内置ML电池与充电器 \n• VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM \n• 出现VCC电源故障时，自动切换到电池供电 \n• 内置电源监视器，用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障 \n• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

ADI

亚德诺

8K x 8 Static RAM

ADI

亚德诺

Package：256-BGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 256BGA

AD

亚德诺