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DS135A

Diffused Junction Type Silicon Diode 1.0A Power Rectifier

DiffusedJunctionTypeSiliconDiode 1.0APowerRectifier Features •Plasticmoldedstructure. •Peakreversevoltage:VRM=--100to--400V. •Averageoutputcurrent:IO=1.0A.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

DS135A

Diffused Junction Type Silicon Diode 1.0A Power Rectifier;

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

DS135AD

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL;

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

DS135AE

DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL;

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

DS135AC

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

DS135AD

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

DS135AE

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

技术参数

  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):

    400V

  • 电流 - 平均整流(Io):

    1A

  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:

    1V @ 1A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:

    10µA @ 400V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

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更多DS135A供应商 更新时间2025-7-28 15:08:00