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DS135A

Diffused Junction Type Silicon Diode 1.0A Power Rectifier

Diffused Junction Type Silicon Diode 1.0A Power Rectifier Features • Plastic molded structure. • Peak reverse voltage : VRM= --100 to --400V. • Average output current : IO=1.0A.

文件:37.88 Kbytes 页数:3 Pages

SANYO

三洋

DS135A

Diffused Junction Type Silicon Diode 1.0A Power Rectifier

ONSEMI

安森美半导体

DS135AD

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

ONSEMI

安森美半导体

DS135AE

DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

ONSEMI

安森美半导体

DS135AC

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

ONSEMI

安森美半导体

DS135AD

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

ONSEMI

安森美半导体

DS135AE

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):

    400V

  • 电流 - 平均整流(Io):

    1A

  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:

    1V @ 1A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:

    10µA @ 400V

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

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更多DS135A供应商 更新时间2025-10-9 15:08:00