3.3V Flexible Nonvolatile Controller with Lithium Battery Monitor

文件：314.93 Kbytes 页数：14 Pages

Maxim

美信

灵活的非易失控制器，带有锂电池

带锂电池监控器的DS1321灵活非易失性控制器是一款CMOS电路，解决了将CMOS SRAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能输出会被禁止以实现写保护，并且电池会开启以向SRAM提供不间断电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，能够以超低的电池消耗提供高精度的电压检测。一个DS1321可支持多达四个以三种存储器配置中的任意一种排列的SRAM。\n\n 除了备用电池支持之外，DS1321执行的重要功能还包括监控锂电池剩余电量并在电池电量耗尽之前发出警告。由于锂备用电池的开路电压在其使用寿命的大部分时间内保持相对恒定，因此准确的 • 将CMOS SRAM转换为非易失性存储器\n\n• 当VCC超出容差时，对SRAM实施无条件写保护\n\n• 发生VCC电源故障时自动切换至电池备用电源\n\n• 灵活的存储器结构\n• 模式0：4组，每组1个SRAM\n\n• 模式1：2组，每组2个SRAM\n\n• 模式2：1组，每组4个SRAM\n\n\n\n\n• 监控锂电池的电压并在即将发生电池故障时发出预警\n\n• 低电平有效时发出低电池电量状态信号电池警告输出信号\n\n• 发生电源故障时复位处理器，并在系统上电期间使处理器保持复位状态\n\n• 可选5%或10%电源故障检测\n\n• 16引脚PDIP、1;

ADI

亚德诺

3.3V、设计灵活的非易失控制器，带有锂电池监测

DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器，采用CMOS电路设计，用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。对输入电源进行监测，判断电源电压是否超出容限范围。一旦监测到电源超出容限，将禁止芯片使能输出，完成写保护操作，并连通电池继续为SRAM供电。利用低漏电CMOS工艺，以极低的电池损率支持精确的电压监测。单片DS1323能够支持多达四个SRAM，可以采用三种存储器配置的任何一种。\n除了支持电池备份外，DS1323还具备一个重要功能，可监测锂电池的剩余电量，在电池接近耗尽时发出报警信号。由于备份锂电池的开路电压在整个使用期限内保持相对稳定，需要精确测量带载情况下的电 ·将CMOS SRAM转换成非易失存储器\n·一旦VCC超出容限范围，将无条件进入SRAM写保护\n·VCC电源失效时，自动切换到后备电池 \n·灵活的存储器结构\n\n·模式0：4组，每组1个SRAM \n·模式1：2组，每组2个SRAM \n·模式2：1组，每组4个SRAM \n\n·监测锂电池电压，在电池将要失效时发出预警信号\n·低电池电压条件下，触发低电平有效报警信号\n·电源失效时，可复位处理器并在系统上电过程中保持处理器的复位状态\n·10%电源失效检测\n·工作在工业级温度范围：-40°C至+85°C;

ADI

亚德诺

存储器控制器

ADI

亚德诺

Package：16-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 控制器 描述：IC CTRLR NV W/BATT MON 5V 16-DIP

AD

亚德诺

Package：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 控制器 描述：IC CTRL NV W/BATT MON 5V 20TSSOP

AD

亚德诺

Package：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 控制器 描述：IC CTRL NV W/BATT MON 5V 20TSSOP

AD

亚德诺