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DS1250AB	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1250 4096k Nonvolatile SRAMs are 4,194,304-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 524,288 words by 8 bits. Each complete NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such 文件：217.62 Kbytes 页数：11 Pages	Dallas	Dallas
DS1250AB	文件：242.48 Kbytes Page：10 Pages	4096k Nonvolatile SRAM 文件：242.48 Kbytes 页数：10 Pages	Maxim 美信	Maxim
DS1250AB-100	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1250 4096k Nonvolatile SRAMs are 4,194,304-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 524,288 words by 8 bits. Each complete NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such 文件：217.62 Kbytes 页数：11 Pages	Dallas	Dallas
DS1250AB-70	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1250 4096k Nonvolatile SRAMs are 4,194,304-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 524,288 words by 8 bits. Each complete NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such 文件：217.62 Kbytes 页数：11 Pages	Dallas	Dallas
DS1250ABP-100-IND	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1250 4096k Nonvolatile SRAMs are 4,194,304-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 524,288 words by 8 bits. Each complete NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such 文件：217.62 Kbytes 页数：11 Pages	Dallas	Dallas
DS1250ABP-70-IND	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION The DS1250 4096k Nonvolatile SRAMs are 4,194,304-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 524,288 words by 8 bits. Each complete NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such 文件：217.62 Kbytes 页数：11 Pages	Dallas	Dallas
DS1250AB-70+	文件：242.48 Kbytes Page：10 Pages	4096k Nonvolatile SRAM 文件：242.48 Kbytes 页数：10 Pages	Maxim 美信	Maxim
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技术参数

Memory Type：
NV SRAM
Memory Size：
512K x 8
Bus Type：
Parallel
Features：
DIP with Internal Battery
VSUPPLY (min)(V)：
4.75
VSUPPLY (max)(V)：
5.25
RoHS Available：
See Data Sheet
Oper. Temp.(°C)：
-40 to +85
Package/ Pins：
MOD/32
Smallest Available Pckg. (max w/pins)(mm2)：
596.9
Budgetary Price (See Notes)：
$59.92 @1k

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更多DS1250AB供应商更新时间2025-10-9 15:01:00

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