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DS1250AB	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS1250AB-70	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS1250ABP-70-IND	文件：217.62 Kbytes Page：11 Pages	4096k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12504096kNonvolatileSRAMsare4,194,304-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas524,288wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuch	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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详细参数

型号：
DS1250AB
功能描述：
NVRAM 4096K NV SRAM
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
数据总线宽度：
8 bit
存储容量：
1024 Kbit
组织：
128 K x 8
接口类型：
Parallel
访问时间：
70 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
4.5 V
工作电流：
85 mA
最大工作温度：
+ 70 C
最小工作温度：
0 C
封装/箱体：
EDIP
封装：
Tube

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