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DS1249W	文件：157.47 Kbytes Page：8 Pages	3.3V2048kbNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1249W2048kbnonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas262,144wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS1249Y	文件：153.85 Kbytes Page：8 Pages	2048kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS12492048kNonvolatileSRAMsare2,097,152-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas262,144wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondit	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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G1249	文件：81.47 Kbytes Page：2 Pages	ForPanels.250(6,4mm)to.375(9,5mm)Thick	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
G1249	文件：92.06 Kbytes Page：1 Pages	ThickPanelRubberGrommets	HeycoHeyco. 海科	Heyco
ISFM1249	文件：599.65 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=90mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·ACandDCMotorDrives ·HighSpeedPowerSwitchingApplication	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
LB1249	文件：67.25 Kbytes Page：3 Pages	Active-LowInput,8-Unit,High-Current,Low-SaturationDriver??? Features •Lowactiveinputtype. •On-chipinputprotectingdiodes. •Highcurrentcapacity(400mA)andlowsaturationvoltage(0.5Vmax). •On-chipsparkkillerdiodes. •WidedutyduetoPdof3Wmax. Applications •4-phasesteppingmotordriverof2channels. •Especi	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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详细参数

型号：
DS1249AB
功能描述：
NVRAM 2048K NV SRAM
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
数据总线宽度：
8 bit
存储容量：
1024 Kbit
组织：
128 K x 8
接口类型：
Parallel
访问时间：
70 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
4.5 V
工作电流：
85 mA
最大工作温度：
+ 70 C
最小工作温度：
0 C
封装/箱体：
EDIP
封装：
Tube

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