3.3V 2048kb Nonvolatile SRAM

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DALLAS

2048k Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

2048k Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

2048k Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

256k NV SRAM，带有隐含时钟

具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。\n\n 隐含时钟提供百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月、年等时间信息。对少于31天的月份，月终日期可自动调节，包括对闰年的修正。隐含时钟格式可配置为24小时制或配合AM/PM指示的12小时制。 • 实时时钟(RTC)保持跟踪百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月和年 \n• 32k x 8 NV SRAM可直接替代易失静态RAM或EEPROM \n• 内置锂电池维持日历运行并保存RAM数据\n• 时钟功能对RAM操作完全透明\n• 月和年决定每个月的天数，有效期至2100年 \n• 10%工作范围\n• 工作温度范围：0°C至+70°C \n• 无外部电源时可保存数据10年以上\n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• 提供DIP模块\n• 标准28引脚JEDEC引脚排列\n• PowerCap模板\n• 表面贴装可直接与带有电池和晶振的PowerCap连接 \;

ADI

亚德诺

256k NV SRAM，带有隐含时钟

具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差，锂电池便自动切换至供电状态，写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。\n 隐含时钟提供百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月、年等时间信息。对少于31天的月份，月终日期可自动调节，包括对闰年的修正。隐含时钟格式可配置为24小时制或配合AM/PM指示的12小时制。 \n• 实时时钟(RTC)保持跟踪百分之一秒、秒、分、时、星期、日、月和年 \n• 32k x 8 NV SRAM可直接替代易失静态RAM或EEPROM \n• 内置锂电池维持日历运行并保存RAM数据 \n• 时钟功能对RAM操作完全透明 \n• 月和年决定每个月的天数，有效期至2100年 \n• 10%工作范围 \n• 工作温度范围：0°C至+70°C \n• 无外部电源时可保存数据10年以上 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 \n• 提供DIP模块 \n• 标准28引脚JEDEC引脚排列 \n• PowerCap模板 \n• 表面贴装可直接与带有电池和晶振的Po;

ADI

亚德诺

Low-Power, 24-Bit ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER

TI

德州仪器

Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 实时时钟 描述：IC RTC PHANTOM PAR 28-DIP

AD

亚德诺

Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 实时时钟 描述：IC RTC PHANTOM PARALLEL 28EDIP

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亚德诺

Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 实时时钟 描述：IC RTC PHANTOM PAR 28-DIP

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亚德诺