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DS1230Y-120IND 集成电路（IC）存储器 DALLAS/亚德诺
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
DS1230Y-120IND
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
120ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
- 供应商器件封装：
28-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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