首页 >DS1230Y-120IND>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

DS1230Y-120IND

256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

DallasDallas Semiconductor

亚德诺亚德诺半导体

DS1230Y-120IND

Package:28-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1230Y-120IND+

Package:28-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1230Y-120

256kNonvolatileSRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半导体

DS1230Y-120

256kNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio

DallasDallas Semiconductor

亚德诺亚德诺半导体

产品属性

  • 产品编号:

    DS1230Y-120IND

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    120ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP 模块(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    28-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
13/14+
50000
新货(NEWANDINOURSTOCK)
询价
DALLAS
05+
原厂原装
4483
只做全新原装真实现货供应
询价
MAX
2020+
DIP
28
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
DALLAS
24+
MODULEDIP28
7
询价
DALLAS
23+
DIP-28
5000
原装正品,假一罚十
询价
MAXIM
16+
DIP-28
8800
进口原装大量现货热卖中
询价
DALLAS
17+
DIP-28
9700
只做全新进口原装,现货库存
询价
MAXIM
23+
MOD
8888
专做原装正品,假一罚百!
询价
DALLSA
24+
200
进口原装正品优势供应
询价
DALLSA
24+
66800
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源!
询价
更多DS1230Y-120IND供应商 更新时间2023-6-8 12:14:00