DS1230Y-120IND_集成电路（IC）存储器-亚德诺

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1+	¥面议

厂家型号：
DS1230Y-120IND
制造商：
AD/亚德诺
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2023-6-8 12:14:00

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原厂料号：DS1230Y-120IND品牌：Analog Devices Inc./Maxim Integrated

资料说明：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

DS1230Y-120IND是集成电路（IC） > 存储器。制造商AD/亚德诺生产封装28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）的DS1230Y-120IND存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
ds1230y-120ind
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
AD【亚德诺】详情
厂商全称：
Analog Devices
中文名称：
亚德诺半导体技术有限公司
资料说明：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

产品属性

类型
描述
产品编号：
DS1230Y-120IND
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
120ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-EDIP
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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DS1230Y-120IND

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