DS1230Y-120IND_集成电路(IC) 存储器-亚德诺

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  • 厂家型号:

    DS1230Y-120IND

  • 制造商:

    AD/亚德诺

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    集成电路(IC) 存储器

  • 封装外壳:

    28-DIP 模块(0.600",15.24mm)

  • 包装:

    管件

  • 安装类型:

    通孔

  • 更新时间:

    2023-6-8 12:14:00

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原厂料号:DS1230Y-120IND品牌:Analog Devices Inc./Maxim Integrated

资料说明:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

DS1230Y-120IND是集成电路(IC) > 存储器。制造商AD/亚德诺生产封装28-DIP 模块(0.600",15.24mm)的DS1230Y-120IND存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    ds1230y-120ind

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 企业简称:

    AD【亚德诺】详情

  • 厂商全称:

    Analog Devices

  • 中文名称:

    亚德诺半导体技术有限公司

  • 资料说明:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    DS1230Y-120IND

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    120ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP 模块(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    28-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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