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DS1230ABP-70	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS1230ABP-70-IND	文件：213.86 Kbytes Page：12 Pages	256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
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DS1230ABP-70IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-PowerCap™ 模块；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

产品属性

产品编号：
DS1230ABP-70
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
34-PowerCap™ 模块
供应商器件封装：
34-PowerCap 模块
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP

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