DRV8305

具有电流分流放大器和 SPI 的最大 45V 三相智能栅极驱动器; • 4.4V 至 45V 工作电压范围 \n• 1.25A/1A 峰值栅极驱动器电流 \n• 可编程的独立高速 (HS)/低速 (LS) 转换率/斜率控制\n• 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器 \n• 三个集成分流放大器 \n• 50mA 集成低压降稳压器 (LDO)（3.3V/5V 选项） \n• 可控制 3 个脉宽调制 (PWM) 或 6 个 PWM 输入，频率最高可达 200kHz \n• 内置用于单 PWM 情况的换向表\n• 可编程死区时间 \n• 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 击穿保护 \n• MOSFET 的可编程 VDS 保护 \n• 支持电池反向保护\n• 支持 3.3V/5V 数字接口 \n• SPI 接口\n• 耐热增强型 48 引脚四方扁平无引线 (QFN) 封装 (7mm × 7mm)\n• 保护特性 \n• VM 欠压锁定 (UVLO2)\n• 逻辑欠压 (UVLO1)\n• 电荷泵欠压 (CPUVL)\n• 过热警告和关断\n• 看门狗定时器;

DRV8305 是一款针对三相电机驱动应用的栅极驱动器集成电路 (IC)。 该器件提供了三个经高精度调节和温度补偿的半桥驱动器，每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 型 MOSFET。电荷泵驱动器支持占空比为 100% 的低压操作。 该栅极驱动器还能够处理最高达 45V 的负载突降脉冲。栅极驱动器在切换时使用自动握手，以防止发生电流击穿。 该器件可精确感测高侧和低侧 MOSFET 的 VDS，以在过流状态期间保护外部 MOSFET。DRV8305 提供三个分流放大器进行精确的电流测量，支持增益可调节的双向电流感测。DRV8305 具有一个集成稳压器和控制器，可满足微控制器 (MCU) 或附加系统的电源要求。SPI 提供详细的故障报告以及灵活的参数设置，例如针对分流放大器的增益选项、栅极驱动器的转换率控制以及多种保护功能。

DRV8305

Three Phase Gate Driver

DRV8305-Q1

汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）; • 具有符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准\n• 环境工作温度范围： \n• 温度等级 0 (E)：–40°C 至 +150°C\n• 温度等级 1 (Q)：–40°C 至 +125°C\n \n• 4.4V 至 45V 工作电压范围\n• 1.25A 和 1A 峰值栅极驱动电流\n• 智能栅极驱动架构（IDRIVE 和 TDRIVE）\n• 可编程高侧和低侧压摆率控制\n• 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器\n• 三个集成式分流放大器\n• 50mA 集成型 LDO（3.3V 和 5V 选项）\n• 高达 200kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制\n• 能够进行单 PWM 模式换向\n• 用于器件设置和故障报告的串行外设接口 (SPI)\n• 耐热增强型 48 引脚 HTQFP 封装\n• 保护 功能： \n• 故障诊断和 MCU 看门狗\n• 可编程的死区时间控制\n• MOSFET 击穿保护\n• MOSFET VDS 过流监视器\n• 栅极驱动器故障检测\n• 支持电池反向保护\n• 支持跛行回家模式\n• 过热警告和关断;

DRV8305-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动应用的 栅极驱动器 IC。该器件提供了三个高精度半桥驱动器，每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。电荷泵驱动器支持占空比为 100% 的低压操作，适用于冷启动条件。该器件最高可耐受 45V 负载突降电压。\n\nDRV8305-Q1 器件具备三个双向分流放大器，支持可变增益设置和可调节偏移基准，可精确测量低侧电流。\n\nDRV8305-Q1 器件具有一个集成稳压器，可满足微控制器 (MCU) 或其他系统的电源要求。稳压器可与 LIN 物理接口直接相连，支持低功耗系统待机和休眠模式。\n\n栅极驱动器在切换时使用自动握手，以防止发生电流击穿。可精确感测高侧和低侧 MOSFET 的 VDS，从而防止外部 MOSFET 出现过流情况。SPI 提供详细的故障报告、诊断和器件配置，例如分流放大器的增益选项、独立的 MOSFET 过流检测和栅极驱动转换率控制。\n\n器件选项： \n\n DRV8305NQ：1 级，带有电压基准 DRV83053Q：1 级，带有 3.3V、50mA LDO DRV83055Q：1 级，带有 5V、50mA LDO DRV8305NE：0 级，带有电压基准 \n\n DRV8305-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动应用的 栅极驱动器 IC。该器件提供了三个高精度半桥驱动器，每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。电荷泵驱动器支持占空比为 100% 的低压操作，适用于冷启动条件。该器件最高可耐受 45V 负载突降电压。\n\nDRV8305-Q1 器件具备三个双向分流放大器，支持可变增益设置和可调节偏移基准，可精确测量低侧电流。\n\nDRV8305-Q1 器件具有一个集成稳压器，可满足微控制器 (MCU) 或其他系统的电源要求。稳压器可与 LIN 物理接口直接相连，支持低功耗系统待机和休眠模式。\n\n栅极驱动器在切换时使用自动握手，以防止发生电流击穿。可精确感测高侧和低侧 MOSFET 的 VDS，从而防止外部 MOSFET 出现过流情况。SPI 提供详细的故障报告、诊断和器件配置，例如分流放大器的增益选项、独立的 MOSFET 过流检测和栅极驱动转换率控制。\n\n器件选项： \n\n DRV8305NQ：1 级，带有电压基准 DRV83053Q：1 级，带有 3.3V、50mA LDO DRV83055Q：1 级，带有 5V、50mA LDO DRV8305NE：0 级，带有电压基准 \n\n

DRV8305_15

DRV8305 Three Phase Gate Driver With Current Shunt Amplifiers and Voltage Regulator

DRV8305_16

Three Phase Gate Driver

DRV83053PHP

Three Phase Gate Driver

DRV83053PHPR

Three Phase Gate Driver

DRV83053QPHPQ1

Three-Phase Automotive Gate Driver

DRV83053QPHPRQ1

Three-Phase Automotive Gate Driver

DRV83055PHP

Three Phase Gate Driver