DRV5015 Low-Voltage, High-Sensitivity, Digital-Latch Hall Effect Sensor

1 Features 1• Digital-latch hall effect sensor • High magnetic sensitivity: – DRV5015A1: ±0.7 mT (typical) – DRV5015A2: ±1.8 mT (typical) – DRV5015A3: ±1.8 mT (inverted, typical) • Integrated hysteresis • Fast 30-kHz sensing bandwidth • 2.5-V to 5.5-V operating VCC range • Open-drain outp

文件：593.54 Kbytes 页数：26 Pages

TI

德州仪器

Automotive Low-Voltage, High-Sensitivity, Digital-Latch Hall Effect Sensor

文件：574.17 Kbytes 页数：25 Pages

TI

德州仪器

汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压（高达 5.5V）霍尔效应锁存器

DRV5015-Q1 是一款低电压数字锁存器霍尔效应传感器，专为高速和高温电机 应用。该器件由 2.5V 至 5.5V 的电源供电，可以检测磁通量密度并根据预定义的磁性阈值显示数字输出。\n\n必须交换北极和南极磁极才能切换输出，集成的磁滞能够提供稳定可靠的切换。\n\n该器件具有两个磁性阈值选项和一个反相输出选项。高磁性灵敏度可提供低成本磁体选择和组件放置灵活性。\n\n该器件在 –40°C 至 +150°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。\n\n  \n\n   • 适用于汽车 应用\n• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果： \n• 器件温度等级 0：–40°C 至 150°C 的环境工作温度范围\n• 器件 HBM ESD 分类等级 H3A\n• 器件 CDM ESD 分类等级 C6\n \n• 数字锁存器霍尔效应传感器\n• 高磁性灵敏度： \n• DRV5015A1-Q1：±0.7mT（典型值）\n• DRV5015A2-Q1：±1.8mT（典型值）\n• DRV5015A3-Q1：±1.8mT（反相，典型值） \n \n• 集成迟滞\n• 30kHz 高速感应带宽\n• 2.5V 至 5.5V 工作 VCC 范围\n• 开漏输出，输出;

TI

德州仪器

TI/德州仪器
SOT23-3

TI/德州仪器

上传：深圳市鼎欣微电子有限公司

TI
SOT-23-3

TI

德州仪器

上传：深圳市坤融电子科技有限公司