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DRV5012AEDMRT

丝印:2AE;Package:X2SON;DRV5012 Ultra-Low-Power Digital-Latch Hall-Effect Sensor

1 Features 1• Industry-Leading Low-Power Consumption • Pin-Selectable Sampling Rate: – SEL = Low: 20 Hz Using 1.3 μA (1.8 V) – SEL = High: 2.5 kHz Using 142 μA (1.8 V) • 1.65- to 5.5-V Operating VCC Range • High Magnetic Sensitivity: ±2 mT (Typical) • Robust Hysteresis: 4 mT (Typical) • Pu

文件:957.54 Kbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

DRV5012AEDMRT

Ultra-Low-Power Digital-Latch Hall-Effect Sensor

文件:197.96 Kbytes 页数:20 Pages

TI

德州仪器

DRV5012AEDMRT

Package:4-XFDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 功能:卡销 类别:传感器,变送器 磁性传感器 - 开关(固态) 描述:MAGNETIC SWITCH LATCH 4X2SON

TI

德州仪器

EGBJ5012

THINKISEMI SUPER FAST RECOVERY TYPE SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIERS

文件:244.31 Kbytes 页数:1 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

EGBU5012

THINKISEMI SUPER FAST RECOVERY TYPE SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIERS

文件:756.89 Kbytes 页数:1 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

EPB5012G

Receive Band Pass Filter

文件:27.46 Kbytes 页数:1 Pages

PCA

产品属性

  • 产品编号:

    DRV5012AEDMRT

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    传感器,变送器 > 磁性传感器 - 开关(固态)

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 功能:

    卡销

  • 技术:

    霍尔效应

  • 极化:

    北极,南极

  • 感应范围:

    3.3mT 跳闸,-3.3mT 释放

  • 测试条件:

    -40°C ~ 85°C

  • 电压 - 供电:

    1.65V ~ 5.5V

  • 电流 - 供电(最大值):

    5mA

  • 电流 - 输出(最大值):

    5mA

  • 输出类型:

    推挽式

  • 特性:

    温度补偿

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    4-X2SON(1.1x1.4)

  • 封装/外壳:

    4-XFDFN 裸露焊盘

  • 描述:

    MAGNETIC SWITCH LATCH 4X2SON

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI(德州仪器)
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SON-4-EP(1
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更多DRV5012AEDMRT供应商 更新时间2025-12-5 16:12:00