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DRV5013ADQDBZR	文件：1.39363 Mbytes Page：36 Pages	DRV5013 Digital-Latch Hall Effect Sensor 1 Features • Digital bipolar-latch Hall sensor • Superior temperature stability – BOP ±10% over temperature • Multiple sensitivity options (BOP / BRP) – ±1.3mT (FA, see Device Nomenclature) – ±2.7mT (AD, ND, see Device Nomenclature) – ±6mT (AG, see Device Nomenclature) – ±12mT (BC, see 文件：1.39363 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5013ADQDBZR	文件：1.36143 Mbytes Page：38 Pages	DRV5013 Digital-Latch Hall Effect Sensor 1 Features • Digital bipolar-latch Hall sensor • Superior temperature stability – BOP ±10% over temperature • Multiple sensitivity options (BOP / BRP) – ±1.3mT (FA, FD, see Device Nomenclature) – ±2.7mT (AD, ND, see Device Nomenclature) – ±6mT (AG, see Device Nomenclature) – ±12mT (BC, 文件：1.36143 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5013ADQDBZR	文件：1.10227 Mbytes Page：28 Pages	Digital-Latch Hall Effect Sensor 文件：1.10227 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5013ADQDBZR	文件：1.35562 Mbytes Page：33 Pages	Digital-Latch Hall Effect Sensor 文件：1.35562 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5013ADQDBZR.A	文件：1.36143 Mbytes Page：38 Pages	DRV5013 Digital-Latch Hall Effect Sensor 1 Features • Digital bipolar-latch Hall sensor • Superior temperature stability – BOP ±10% over temperature • Multiple sensitivity options (BOP / BRP) – ±1.3mT (FA, FD, see Device Nomenclature) – ±2.7mT (AD, ND, see Device Nomenclature) – ±6mT (AG, see Device Nomenclature) – ±12mT (BC, 文件：1.36143 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5013ADQDBZRQ1	文件：1.19475 Mbytes Page：32 Pages	DRV5013-Q1 Automotive, Digital-Latch Hall Effect Sensor 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications: – DRV5013xxQ grade 1: TA = –40°C to 125°C (see Device Nomenclature) – DRV5013xxE grade 0: TA = –40°C to 150°C (see Device Nomenclature) • Digital bipolar-latch Hall sensor • Superior temperature stability – BOP ±10% over temp 文件：1.19475 Mbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5013ADQDBZRQ1.A	文件：1.19475 Mbytes Page：32 Pages	DRV5013-Q1 Automotive, Digital-Latch Hall Effect Sensor 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications: – DRV5013xxQ grade 1: TA = –40°C to 125°C (see Device Nomenclature) – DRV5013xxE grade 0: TA = –40°C to 150°C (see Device Nomenclature) • Digital bipolar-latch Hall sensor • Superior temperature stability – BOP ±10% over temp 文件：1.19475 Mbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5013ADQDBZRQ1	文件：1.34641 Mbytes Page：35 Pages	丝印：NKAD；Package：SOT-23；DRV5013-Q1 Automotive Digital-Latch Hall Effect Sensor 文件：1.34641 Mbytes 页数：35 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5013ADQDBZRQ1	文件：1.10517 Mbytes Page：28 Pages	Automotive Digital-Latch Hall Effect Sensor 文件：1.10517 Mbytes 页数：28 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5013ADQDBZR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装功能：卡销类别：传感器，变送器磁性传感器 - 开关（固态）描述：MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
DRV5013ADQDBZR
制造商：
Texas Instruments
类别：
传感器，变送器 > 磁性传感器 - 开关（固态）
包装：
散装
功能：
卡销
技术：
霍尔效应
极化：
南极
感应范围：
5mT 跳闸，-5mT 释放
测试条件：
-40°C ~ 125°C
电压 - 供电：
2.7V ~ 38V
电流 - 供电（最大值）：
2.7mA（标准）
电流 - 输出（最大值）：
30mA
输出类型：
开路漏极
特性：
温度补偿
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-23-3
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：
MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3

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