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DRV5012AEDMRR.A	文件：957.54 Kbytes Page：25 Pages	丝印：2AE；Package：X2SON；DRV5012 Ultra-Low-Power Digital-Latch Hall-Effect Sensor 1 Features 1• Industry-Leading Low-Power Consumption • Pin-Selectable Sampling Rate: – SEL = Low: 20 Hz Using 1.3 μA (1.8 V) – SEL = High: 2.5 kHz Using 142 μA (1.8 V) • 1.65- to 5.5-V Operating VCC Range • High Magnetic Sensitivity: ±2 mT (Typical) • Robust Hysteresis: 4 mT (Typical) • Pu 文件：957.54 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5012AEDMRT	文件：197.96 Kbytes Page：20 Pages	Ultra-Low-Power Digital-Latch Hall-Effect Sensor 文件：197.96 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
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EGBJ5012	文件：244.31 Kbytes Page：1 Pages	THINKISEMI SUPER FAST RECOVERY TYPE SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIERS 文件：244.31 Kbytes 页数：1 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI

更多DRV5012AEDMRR.A供应商更新时间2026-1-19 14:14:00