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DRV3245E-Q1

DRV3245E-Q1 3-Phase Grade 0 Automotive Gate Driver Unit (GDU) With High Performance Sensing, Protection and Diagnostics

1 Features 1• AEC-Q100 qualified for automotive applications: – Device temperature grade 0: –40°C to +150°C, TA • SafeTI™semiconductor component – Developed according to the applicable requirements of ISO 26262 • 4.5-V to 45-V operating voltage • Programmable peak gate drive currents up to

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DRV3245E-Q1

3-Phase Grade 0 Automotive Gate Driver Unit (GDU) With High Performance Sensing, Protection and Diagnostics

文件:770.04 Kbytes 页数:10 Pages

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DRV3245E-Q1

3-Phase Grade 0 Automotive Gate Driver Unit (GDU) With High Performance Sensing, Protection and Diagnostics

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DRV3245E-Q1

具有精确电流感应和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

DRV3245E-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动 应用。此器件适用于高温汽车 应用 ,根据 ISO 26262 标准中有关功能安全应用的相应要求设计 而成。该器件具有三个半桥驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET,同时还具有先进的 FET 保护和监控功能。电荷泵驱动器可在冷启动运行期间实现 100% 占空比并支持低电池电压。凭借所集成的电流检测放大器、相位比较器和基于 SPI 的配置省去了大多数外部和无源组件,从而减少了所需物料并减小了印刷电路板 (PCB) 空间。 \n\nDRV3245E-Q1 器件还为内部时钟集成了诊断和保护功能,并可提供常用系统诊断检 • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准: \n• SafeTI™半导体组件 \n• 4.5V 至 45V 工作电压范围\n• 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器\n• A 器件:3 个电流分流放大器和三相比较器,具有状态,通过 SPI \n• 高达 20kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制 \n• 支持 3.3V 和 5V 数字接口 \n• 耐热增强型 48 引脚 HTQFP 封装 \n• 内部稳压器、电池电压监控器\n• 时钟监控器\n• 可编程的死区时间控制\n• MOSFET VDS 过流监视器\n• 过热警告;

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DRV3245E-Q1_19

3-Phase Grade 0 Automotive Gate Driver Unit (GDU) With High Performance Sensing, Protection and Diagnostics

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技术参数

  • Control method:

    External Control

  • Architecture:

    Gate Driver

  • Control interface:

    6xPWM

  • Gate drive (A):

    1

  • Vs (Min) (V):

    4.5

  • Vs ABS (Max) (V):

    45

  • Features:

    Current Sense Amplifier

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 150

  • TI functional safety category:

    Functional Safety-Compliant

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更多DRV3245E-Q1供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00