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DO3N10	文件：2.43704 Mbytes Page：4 Pages	Marking：MA4；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
F3N10HU	文件：311.94 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=100V,ID=3A RDS(ON)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FIR3N10LTG	文件：3.18825 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR3N10MTG	文件：2.70066 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
JMTL3N10A	文件：273.854 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KI3N10DS	文件：362.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
LMTL3N10	文件：1.79868 Mbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PJW3N10A	文件：398.49 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJW3N10A	文件：412.05 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@2.2A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
RX3N10BBH	文件：2.5821 Mbytes Page：13 Pages	Nch80V225APowerMOSFET Features 1)Lowon-resistance 2)Highpowermoldpackage (TO220AB) 3)Pb-freeplating;RoHScompliant 4)HalogenFree 5)100%RgandUIStested Application Switching Motordrives DC/DCconverter	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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