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DO3N10	文件：2.43704 Mbytes Page：4 Pages	丝印：MA4；Package：SOT-23；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.43704 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO3N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
DO3N10SA	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
F3N10HU	文件：311.94 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features  VDS=100V, ID=3A  RDS(ON) 文件：311.94 Kbytes 页数：4 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
FIR3N10LTG	文件：3.18825 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：3.18825 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR3N10MTG	文件：2.70066 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：2.70066 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER

技术参数

Package：
SOT-23
ESD Diode：
N
VDS (V)：
100
VGS ±(V)：
20
ID(A)：
2.8
VGS(th) (min V)：
1
VGS(th) (max V)：
2.5
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
310
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
320
Qg (nC)：
9.7
Ciss(pF)：
508

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更多DO3N10供应商更新时间2025-10-8 14:30:00

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