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DNA30E2200FE	文件：132.56 Kbytes Page：5 Pages	Single Diode Single Diode Features / Advantages: ● Planar passivated chips ● Very low leakage current ● Very low forward voltage drop ● Improved thermal behaviour Applications: ● Diode for main rectification ● For single and three phase bridge configurations 文件：132.56 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
DNA30E2200FE	文件：300 bytes Page：1 Pages	≥2000V的高电压二极管	Littelfuse 力特	Littelfuse
DNA30E2200FE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-2，IPak；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC	IXYS 艾赛斯	IXYS
DNA30E2200IY	文件：132.56 Kbytes Page：5 Pages	Single Diode Single Diode Features / Advantages: ● Planar passivated chips ● Very low leakage current ● Very low forward voltage drop ● Improved thermal behaviour Applications: ● Diode for main rectification ● For single and three phase bridge configurations 文件：132.56 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
DNA30E2200PA	文件：132.56 Kbytes Page：5 Pages	Single Diode Single Diode Features / Advantages: ● Planar passivated chips ● Very low leakage current ● Very low forward voltage drop ● Improved thermal behaviour Applications: ● Diode for main rectification ● For single and three phase bridge configurations 文件：132.56 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
DNA30E2200PC	文件：145.98 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Standard Rectifier 文件：145.98 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
DNA30E2200FE
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
30A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
7pF @ 700V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-2，IPak
供应商器件封装：
i4-PAC
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC

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