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DN500	文件：51.67 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor (Extremely low collector-to-emitter saturation voltage) Description • Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)=0.2V Typ. @IC/IB=3A/150mA) • Suitable for low voltage large current drivers • Complementary pair with DP500 • Switching Application 文件：51.67 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
DN500	文件：57.26 Kbytes Page：3 Pages	Extremely low collector-to-emitter saturation voltage Description • Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)=0.2V Typ. @IC/IB=3A/150mA) • Suitable for low voltage large current drivers • Complementary pair with DP500 • Switching Application 文件：57.26 Kbytes 页数：3 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
DN500	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors	Kodenshi-AUK	Kodenshi-AUK
DN500F	文件：47.39 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor (Extremely low collector-to-emitter saturation voltage) Description • Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)=0.2V Typ. @IC/IB=3A/150 ㎃ ) • Suitable for low voltage large current drivers • Excellent hFE Linearity • Complementary pair with DP500F • Switching Application 文件：47.39 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
DN500P	文件：54.63 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Description • Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)=0.2V Typ. @IC/IB=3A/150mA) • Suitable for low voltage large current drivers • Complementary pair with DP500P • Switching Application 文件：54.63 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
DN500P	文件：55.51 Kbytes Page：3 Pages	Extremely low collector-to-emitter saturation voltage Description • Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)=0.2V Typ. @IC/IB=3A/150mA) • Suitable for low voltage large current drivers • Complementary pair with DP500P • Switching Application 文件：55.51 Kbytes 页数：3 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
DN500F	文件：247.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：247.67 Kbytes 页数：4 Pages	AUK	AUK
DN500F_05	文件：247.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：247.67 Kbytes 页数：4 Pages	AUK	AUK

技术参数

Classifacation：
Single type
VCEO [V]：
12
IC[mA]：
5000
PC[mW]：
625
hFE_Min：
160
hFE_Max：
320
hFE@ VCE [V]：
2
hFE@ IC[mA]：
500
VCE(sat) [V]_Max：
0.3
VCE(sat) [V]@ IC[mA]：
3000
VCE(sat) [V]@ IB[mA]：
150
fT[MHz]_Typ：
150
fT[MHz]@ VCE [V]：
5
fT[MHz]@ IC[mA]：
500

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