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首页>DMN33D8LTQ>芯片详情
DMN33D8LTQ_DIODES/美台半导体_N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET川科十部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:DMN33D8LTQ
- 生产厂家
:达尔
- Automotive Compliant PPAP
:Yes
- Polarity
:N
- ESD Diodes
:Yes
- VDS
:30 V
- VGS
:20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
:0.115 A
- PD @ TA = +25°C
:0.3 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
:N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
:N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
:7000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
:N/A mΩ
- VGS (th) Max
:1.5 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
:1.23 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
:0.55 nC
- Packages
:SOT523
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