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DMN31D5UFZQ	文件：555.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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DMN31D5UFZQ

文件：555.07 Kbytes

Page：7 Pages

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features LowPackageProfile,0.4mmMaximumPackageHeight 0.62mmx0.62mmPackageFootprint LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

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更多DMN31D5UFO供应商更新时间2025-7-26 15:55:00

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