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DMN10H170SVT_DIODES/美台半导体_Low Gate Threshold Voltage川科3部
- 详细信息
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产品属性
- 类型描述 
- 制造商编号:DMN10H170SVT 
- 生产厂家:达尔 
- Automotive Compliant PPAP:DMN10H170SVTQ 
- Polarity:N 
- ESD Diodes:No 
- VDS:100 V 
- VGS:20 ±V 
- IDS @ TA = +25°C:2.6 A 
- PD @ TA = +25°C:1.7 W 
- RDS(ON) Max @ VGS (10V):160 mΩ 
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):200 mΩ 
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):N/A mΩ 
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):N/A mΩ 
- VGS (th) Max:3 V 
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):N/A nC 
- QG Typ @ VGS = 10V (nC):9.7 nC 
- Packages:TSOT26 
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