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E5551	文件：5.98887 Mbytes Page：294 Pages	HighPerformance,LowPowerAtmelAVR8-bitMicrocontrollerAdvancedRISCArchitecture	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
FFB5551	文件：112.7 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB5551	文件：247.19 Kbytes Page：5 Pages	Dual-ChipNPNGeneral-PurposeAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMB5551	文件：72.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierSuperSOT-6SurfaceMountPackage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB5551	文件：29.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierSuperSOT-6SurfaceMountPackage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB5551	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILDSmallSignalTransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBM5551	文件：162.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBM5551	文件：250.86 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMBS5551	文件：90.45 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT5551	文件：409.24 Kbytes Page：8 Pages	600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor 600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=140V~160V@IC=1mA) •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltage amplifiersandgasdischargedisplaydriving •Epitaxialplanardieconstruction •ComplememntaryPN	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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详细参数

型号：
DMMT5551S
制造商：
Diodes Incorporated
功能描述：
TRANS NPNNPN MAT 180V 0.2A SOT26
功能描述：
TRANS, NPNNPN MAT, 180V, 0.2A, SOT26
功能描述：
TRANS, NPNNPN MAT, 180V, 0.2A, SOT26, Transistor
Polarity：
NPN, Collector Emitter
Polarity：
NPN, Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
160V, Power Dissipation
Pd：
300mW, DC Collector
Current：
200mA, DC Current Gain
hFE：
80, Operating Temperature
Min：
-55C, No. of
Pins：
6 , RoHS
Compliant：
Yes

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