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DMC3018LSD-13

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.23683 Mbytes 页数:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

DMC3021LK4

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:393.29 Kbytes 页数:10 Pages

DIODES

美台半导体

DMC3021LK4_15

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:393.29 Kbytes 页数:10 Pages

DIODES

美台半导体

DMC3021LSD

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:187.86 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMC3021LSD_15

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:275.77 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMC3021LSD-13

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:187.86 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMC3025LDV

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:474.27 Kbytes 页数:10 Pages

DIODES

美台半导体

DMC3025LNS

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:569.52 Kbytes 页数:10 Pages

DIODES

美台半导体

DMC3025LSD

30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:350.78 Kbytes 页数:10 Pages

DIODES

美台半导体

DMC3025LSD_15

30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:350.78 Kbytes 页数:10 Pages

DIODES

美台半导体

详细参数

  • 型号:

    DMC30

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET SOP-8L

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DMC30供应商 更新时间2025-12-25 11:54:00