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DHE150N10

MOSFET

WXDH

东海半导体

FDB150N10

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 57A, 15m廓

文件:526.37 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB150N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 57A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 15mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件:332.2 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDI150N10

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 57 A, 16 m廓

文件:563.18 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

技术参数

  • P tot:

    215

  • I D:

    150

  • B VDSS:

    100

  • B VGSS:

    25

  • V TH:

    2

  • RDS(on):

    5

  • EAS:

    1400

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更多DHE150N10供应商 更新时间2025-11-24 16:24:00