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DGD2012S8-13 集成电路（IC）栅极驱动器 DIODES/美台半导体

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1+	0.1

厂家型号：
DGD2012S8-13
产品分类：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
生产厂商：
DIODES(美台)
库存数量：
18000
产品封装：
SO-8
生产批号：
2022+原装正品
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-12-15 15:01:00

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原厂料号：DGD2012S8-13品牌：DIODES(美台)

支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货

DGD2012S8-13是集成电路（IC） > 栅极驱动器。制造商DIODES(美台)/Diodes Incorporated生产封装SO-8/8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的DGD2012S8-13栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。

芯片型号：
DGD2012S8-13
规格书：
下载下载2
企业简称：
DIODES【美台半导体】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated
内容页数：
11 页
文件大小：
497.02 kb
资料说明：
HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER

产品属性

类型
描述
产品编号：
DGD2012S8-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.9A，2.3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
40ns，20ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

供应商

企业：
深圳市鹏顺微电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
杨先生
手机：
13682380609
询价：
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