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DF80R12W2H3F_B11	文件：658.65 Kbytes Page：11 Pages	Bypass-Diode / Bypass-Diode 文件：658.65 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
DF80R12W2H3F_B11	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V、80 A升压IGBT模块 EasyPACK ™ 2B 1200 V、160 A 斩波 IGBT 模块，采用 CoolSiC ™肖特基二极管 1200V、PressFIT 技术和高速 IGBT H3。 • 低开关损耗\n• Al2O3 基板\n• 集成 NTC 温度传感器;	Infineon 英飞凌	Infineon
DF80R12W2H3F-B11	文件：724.8 Kbytes Page：11 Pages	Al2O3 Substrate with Low Thermal Resistance 文件：724.8 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
DF81-30P-SHL	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	HRS(广濑) 上传：深圳市艾泽电子有限公司	HRS(广濑)
DF81-30S-0.4SH(51)	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	HRS(广濑) 上传：深圳市艾泽电子有限公司	HRS(广濑)

技术参数

ICmax：
80 A
VCE(sat)(Tvj=25°C typ)：
1.55 V
VF(Tvj=25°C typ)：
1.6 V
Housing：
EasyPACK™ 2B
Dimensions(width)：
48 mm
Dimensions(length)：
56.7 mm
Technology：
IGBT HighSpeed 3
Features：
PressFIT
Voltage Classmax：
1200 V
Qualification：
Industrial
Configuration：
Booster

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