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DF3A5.6LFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	ESD protection diode (low capacitance type) Internal Connection：Common anode\nNumber of Circuits：2\nAEC-Q101：Conform(*)\nNumber of Protected Lines：2\nconfiguration：Unidirectional\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-8 kV ;	Toshiba 东芝	Toshiba
DF3A5.6LFV	文件：130.639 Kbytes Page：3 Pages	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD). 文件：130.639 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
DF3A5.6LFV(TPL3,Z)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.5VWM VESM	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
DF3A5.6F	文件：172.51 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBA Diodes for Protecting against ESD Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD) *This product is for protection against electrostatic discharge (ESD) only and is not intended for any other usage, including without limitation, the constant voltage diode application. The mounting of two devices on an 文件：172.51 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
DF3A5.6FE	文件：156.29 Kbytes Page：3 Pages	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD). 文件：156.29 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
DF3A5.6FU	文件：154.17 Kbytes Page：3 Pages	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD). 文件：154.17 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Package name：
SOT-723 (VESM)
Width×Length×Height(mm)：
1.2 x 1.2 x 0.5
Configuration：
Unidirectional
ProtectedLines：
2
Application：
General-purpose
ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)：
5.3
CT (Typ.) (pF)：
8
Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)：
+/-8
ReversecurrentIR (Max) (μA)：
1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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更多DF3A5.6LFV供应商更新时间2025-12-10 15:31:00

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