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DF2S6M5CT	文件：379.01 Kbytes Page：10 Pages	ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar Applications Mobile Equipment Smartphones Tablets Notebook PCs Desktop PCs Features (1) Suitable for use with a 5 V signal line. (VRWM ≤ 5.0 V) (2) Protects devices with its high ESD performance. (VESD = ±20 kV (Contact / Air) @IEC61000-4-2) (3) Low dynamic resistance protects semicond 文件：379.01 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
DF2S6M5CT	文件：300 bytes Page：1 Pages	ESD protection diode (uni-directional type)	Toshiba 东芝	Toshiba
DF2S6M5CT,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-882；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：UNIDIRECTIONAL ESD DIODE VRWM:5.	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
DF2S6M5SL	文件：368.3 Kbytes Page：10 Pages	ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar Applications Mobile Equipment  Smartphones  Tablets  Notebook PCs Desktop PCs Features (1) Suitable for use with a 5 V signal line. (VRWM ≤ 5.0 V) (2) Protects devices with its high ESD performance. (VESD = ±20 kV (Contact / Air) @IEC61000-4-2) (3) Low dynamic resistance protects se 文件：368.3 Kbytes 页数：10 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name：
SOD-882 (CST2)
Width×Length×Height(mm)：
1.0 x 0.6 x 0.38
Configuration：
Unidirectional
ProtectedLines：
1
Application：
USB1.1/USB2.0/USB3.0/HDMI1.4
Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)：
5.0
CT (Typ.) (pF)：
0.6
CT (Max) (pF)：
0.9
Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)：
+/-20
Dynamicresistance(Typ.) (Ω)：
0.3
ReversecurrentIR (Max) (μA)：
0.1
Peak pulsecurrent (Max) (A)：
2.5
Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)：
8.0

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深圳科宇泰科技有限公司	DF2S6M5CT,L3F	TOSHIBA	21+	标准封装	100	保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号	询价
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更多DF2S6M5CT供应商更新时间2025-12-24 11:18:00

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