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DF2S5M4CT	文件：386.82 Kbytes Page：9 Pages	ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar Applications MobileEquipment Smartphones Tablets NotebookPCs DesktopPCsFeatures (1)Suitableforusewitha3.3Vsignalline.(VRWM≤3.6V) (2)ProtectsdeviceswithitshighESDperformance. (VESD=±20kV(Contact/Air)@IEC61000-4-2) (3)Lowdynamicresistanceprotectssemi	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
DF2S5M4CT	文件：300 bytes Page：1 Pages	ESD protection diode (uni-directional type); Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-20 kV \nPeak pulse current (IEC61000-4-5) IPP 2 A \n; Internal Connection：Single\nNumber of Circuits：1\nNumber of Protected Lines：1\nconfiguration：Unidirectional\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：泰国\n	ETC	ETC
DF2S5M4CT,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-882；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.6VWM 15VC CST2	ETC	ETC
DF2S5M4FS	文件：403.78 Kbytes Page：9 Pages	ESDProtectionDiodesSiliconEpitaxialPlanar Applications AutomotiveEquipment(Interfaceprotection) AdvancedDriver-AssistanceSystems In-vehicleinfotainment Head-UpDisplay DisplayAudio Features (1)AEC-Q101qualified(Note1) (2)Suitableforusewitha3.3Vsignalline.(VRWM≤3.6V) (3)Protectsdeviceswithits	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
DF2S5M4SL	文件：317.03 Kbytes Page：8 Pages	ESDProtectionDiodesSiliconEpitaxialPlanar	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

技术参数

Life-cycle：
新产品
Package name：
SOD-882 (CST2)
Width×Length×Height(mm)：
1.0 x 0.6 x 0.38
Configuration：
Unidirectional
ProtectedLines：
1
Application：
USB3.1/Thunderbolt/HDMI2.0/RF ant.
Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)：
3.6
ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)：
3.7
CT (Typ.) (pF)：
0.35
CT (Max) (pF)：
0.5
Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)：
+/-20
Dynamicresistance(Typ.) (Ω)：
0.3
ReversecurrentIR (Max) (μA)：
0.1
Peak pulsecurrent (Max) (A)：
2
Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)：
6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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