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DF200R12W1H3FB11BOMA1数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
DF200R12W1H3FB11BOMA1 |
| 参数属性 | DF200R12W1H3FB11BOMA1 封装/外壳为模块；包装为托盘托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 30A 20MW |
| 功能描述 | IGBT 模块 LOW POWER EASY |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-11 12:00:00 |
| 人工找货 | DF200R12W1H3FB11BOMA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DF200R12W1H3FB11BOMA1规格书详情
简介
DF200R12W1H3FB11BOMA1属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的DF200R12W1H3FB11BOMA1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号：
DF200R12W1H3FB11BOMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 系列：
EasyPACK™
- 包装：
托盘托盘
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 配置：
三相反相器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.45V @ 15V，30A
- 输入：
标准
- NTC 热敏电阻：
是
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
模块
- 供应商器件封装：
模块
- 描述：
IGBT MOD 1200V 30A 20MW
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
COMCHIP/典琦科技 |
新年份 |
DF |
92230 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
询价 | ||
PXW |
23+ |
DF |
1100000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Comchip |
20+ |
DF |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
23+ |
65480 |
询价 | |||||
24+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
WALSIN/华新科 |
25+ |
2016 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
WALSIN/华新 |
23+ |
2016 |
6800 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |
