首页>DF200R12W1H3FB11BOMA1>规格书详情

DF200R12W1H3FB11BOMA1中文资料IGBT 模块 LOW POWER EASY数据手册Infineon规格书

PDF无图
厂商型号

DF200R12W1H3FB11BOMA1

参数属性

DF200R12W1H3FB11BOMA1 封装/外壳为模块;包装为托盘托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 30A 20MW

功能描述

IGBT 模块 LOW POWER EASY
IGBT MOD 1200V 30A 20MW

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-29 10:31:00

人工找货

DF200R12W1H3FB11BOMA1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

DF200R12W1H3FB11BOMA1规格书详情

简介

DF200R12W1H3FB11BOMA1属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的DF200R12W1H3FB11BOMA1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    DF200R12W1H3FB11BOMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 系列:

    EasyPACK™

  • 包装:

    托盘托盘

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.45V @ 15V,30A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    模块

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 30A 20MW

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
WALSIN/华新科
24+
QFN
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
询价
Infineon Technologies
22+
9000
原厂渠道,现货配单
询价
Infineon
22+
NA
2118
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
24+
N/A
75000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
华新
25+23+
2016
66082
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
询价
Infineon Technologies
25+
模块
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
MAXIM/美信
25+
SOP-16
66
原装正品,假一罚十!
询价
PXW
23+
DF
1100000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
COMCHIP/典琦科技
新年份
DF
92230
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
询价
Comchip/典琦
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
询价