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DF200R12KE3数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

DF200R12KE3

参数属性

DF200R12KE3 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 1040W

功能描述

IGBT模块
IGBT MODULE 1200V 1040W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 13:00:00

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DF200R12KE3规格书详情

描述 Description

Our well-known 62 mm 1200V chopper IGBT modules are the right choice for your design.

特性 Features

• Superior solution for frequency controlled inverter drives
• UL/CSA Certification with UL1557 E83336
• Operating temperature up to 125 °C (max 150 °C)
• Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses
• Existing packages with higher current capability
• RoHS compliant

优势:
• Flexibility
• Optimal electrical performance
• Highest reliability

简介

DF200R12KE3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的DF200R12KE3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DF200R12KE3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Chopper

  • Technology

    :IGBT3 - E3

  • IC(nom) / IF(nom)

    :200 A

  • OPN

    :DF200R12KE3HOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.7 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.65 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :62 mm

  • Dimensions length

    :106.4 mm

  • Dimensions width

    :61.4 mm

  • Package name

    :AG-62MM

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