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DF200R12W1H3F_B11数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

DF200R12W1H3F_B11

功能描述

IGBT模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 11:31:00

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DF200R12W1H3F_B11规格书详情

描述 Description

使用我们的 EasyPACK™1B 1200 V增压 IGBT模块 和经过验证的PressFIT技术和 高速IGBT H3, 可实现快速无焊接组装。

特性 Features

• 高速 IGBT H3
• 低开关损耗
• CoolSiC™ 肖特基二极管 1200 V
• 快速硅二极管1200V
• 低热阻 Al2O3 基板
• 集成温度检测 NTC 温度传感器
• PressFIT 压接技术

优势:
• 紧凑模块的概念
• 优化客户的开发周期,降低成本
• 灵活的配置

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
模块
8079
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PXW
23+
DF
1100000
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Infineon(英飞凌)
24+
AG-EASY1B-2
923
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23+
65480
询价
24+
N/A
57000
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INFINEON/英飞凌
2021+
45000
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880000
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INFINEON
23+
IGBT HighSpeed 3
8000
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Infineon(英飞凌)
2447
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WALSIN/华新
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2016
6800
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