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DF120	文件：267.9 Kbytes Page：2 Pages	Bridge Rectifier 文件：267.9 Kbytes 页数：2 Pages	SIPOWER	SIPOWER
DF120	文件：261.019 Kbytes Page：2 Pages	Bridge Rectifier 文件：261.019 Kbytes 页数：2 Pages	SIPOWER	SIPOWER
DF120R12W2H3_B27	文件：915.87 Kbytes Page：11 Pages	Solar Anwendungen 文件：915.87 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
DF120R12W2H3_B27	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V、120 A升压IGBT模块 Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK™ 2B 1200V booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3. •High Speed IGBT H3 \n• Low Switching Losses\n• Fast Silicon diode 1200V\n• Al(2)O(3) Substrate with Low Thermal Resistance\n• Integrated NTC temperature sensor\n• PressFIT Contact Technology\n\n优势:\n• Compact module concept\n• Optimized customer’s development cycle time and cost\n• Configuration fl;	Infineon 英飞凌	Infineon
DF120R12W2H3B27BOMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 50A 180W	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Green：
yes
Halogen-free：
no
Voltage Class：
1200 V
Configuration：
Booster
Technology：
IGBT HighSpeed 3
IC(nom) / IF(nom)：
120 A
OPN：
DF120R12W2H3B27BOMA1
VCE(sat) Tvj=25°C typ：
2.05 V
VF Tvj=25°C typ：
2 V
Qualification：
Industrial
Housing：
EasyPACK™ 2B
Features：
PressFIT
Dimensions length：
56.7 mm
Dimensions width：
48 mm
Package name：
AG-EASY2B

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