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DD800S45KL3_B5

4500 V、800 A 二极管 IGBT 模块

4500 V IHV、800 A 130mm 二极管 IGBT 模块,带发射极控制 C3 二极管,适合与 IGBT 产品结合使用(例如FZ1200R45KL3_B5 或 FZ800R45KL3_B5 )——适合您的牵引和工业应用的最佳解决方案。 • 高直流稳定性\n• 扩展存储温度\n• CTI > 600 的封装\n• 高爬电距离和电气间隙\n• 可提高热循环\n• 双二极管;

Infineon

英飞凌

DD800S45KL3_B5

hochisolierendes Modul

文件:563.79 Kbytes 页数:7 Pages

Infineon

英飞凌

DDA001AG

SOP15

ON

DDB6U104N16RR

模块

Infineon

英飞凌

上传:深圳市赛尔通科技有限公司

DDB6U205N16L

MODULE

技术参数

  • ICmax:

    800 A

  • VCES / VRRM:

    4500 V

  • VF(Tvj=25°C typ):

    2.5 V

  • Housing:

    IHV

  • Dimensions(width):

    140 mm

  • Dimensions(length):

    130 mm

  • Technology:

    Diode

  • Features:

    10.4kV isolation

  • Voltage Classmax:

    4500 V

  • Qualification:

    Industrial

  • Configuration:

    Diodes

  • Rated Current:

    800 A

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更多DD800S45KL3_B5供应商 更新时间2025-11-24 10:04:00