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DD435N

Pressure contact technology for high reliability

Key Parameters    VDRM / VRRM 2800 - 4000 V    IFAVM 435 A (TC=100 °C)    IFSM 3570A (T 14500 A C=55°C)    VT0 0,84 V    rT 0,6 mΩ    RthJC 0,078 K/W    Base plate 60 mm    Weight 1500 g Features • Pressure contact technology for high reliability • Industrial standard package • Electri

文件:653.08 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

DD435N

Rectifier Diode Module

Rectifier Diode Module

文件:271.2 Kbytes 页数:10 Pages

eupec

DD435N28K

可控硅/二极管模块

60 mm PowerBLOCK 整流器二极管模块使用绝缘铜基板,采用高可靠性的压接技术设计和组装 • 具有高可靠性的压接技术\n• 工业标准封装\n• 电绝缘基板\n• 故障时短路\n• 具有高稳健性\n\n优势:\n• 具有高稳健性\n• 防止电弧失效\n• 易于安装\n• 由于高过载能力,可实现无熔丝设计\n• UL 认证;

Infineon

英飞凌

DD435N34K

60 毫米 3400 V 整流二极管,采用压接技术

整流二极管 60 毫米电源块 3400 V、435 A 模块,用于相位控制,采用高可靠压力接触技术。 • 压接技术\n • 工业标准封装\n • 电绝缘底板\n • 故障时短路\n • 最高稳健性\n • 高可靠性;

Infineon

英飞凌

DD435N36K

60 毫米整流二极管,采用 3600 V 压接技术

60 mm PowerBLOCK 整流器二极管模块使用绝缘铜基板,采用高可靠性的压接技术设计和组装 • 具有高可靠性的压接技术\n• 工业标准封装\n• 电绝缘基板\n• 故障时短路\n• 具有高稳健性\n\n优势:\n• 具有高稳健性\n• 防止电弧失效\n• 易于安装\n• 由于高过载能力,可实现无熔丝设计\n• UL 认证;

Infineon

英飞凌

DD435N34KHPSA1

Package:模块;包装:盒 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE GP 3400V 573A

Infineon

英飞凌

DD435N36KHPSA1

Package:模块;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE GP 3600V 573A

Infineon

英飞凌

DD435N40KHPSA1

Package:模块;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE GP 4000V 573A

Infineon

英飞凌

技术参数

  • rT [mΩ](@Tvj max):

    0.6

  • RthJC [K/W](@180° el sin):

    0.078

  • Tvj [°C]:

    150

  • VDRM / VRRM [V]:

    3400

  • VT0 [V](@Tvj max):

    0.84

  • Product Line:

    Power Block

  • Housing:

    60 mm

  • Configuration:

    Rectifier Diode

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
日本新电元
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更多DD43供应商 更新时间2025-11-4 11:04:00