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IRF352	文件：91.64 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP352	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●ImprovedInducttiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3Ppackage	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP352	文件：170.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP352(R)	文件：67.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP352R	文件：170.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS352	文件：264.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS352	文件：343.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCI352P	文件：204.04 Kbytes Page：1 Pages	iscThyristors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
J352	文件：40.26 Kbytes Page：8 Pages	SiliconP-ChannelMOSFET Features •Highpowergain •Excellentfrequencyresponse •Highspeedswitching •Wideareaofsafeoperation •Enhancement-mode •Goodcomplementarycharacteristics •Equippedwithgateprotectiondiodes Application Lowfrequencypoweramplifier Complementarypair	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
J352	文件：70.87 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Lowfrequencypoweramplifier Complementarypairwith2SK2220,2SK2221 Features •Highpowergain •Excellentfrequencyresponse •Highspeedswitching •Wideareaofsafeoperation •Enhancement-mode •Goodcomplementarycharacteristics •Equippedwith	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
DD352S
制造商：
WTE
制造商全称：
Won-Top Electronics
功能描述：
35A GLASS PASSIVATED DISH TYPE PRESS-FIT DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	DD35N1400K	AEG	23+	模块	800	全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	DD35N1400K	AEG	23+	模块	3562		询价
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更多DD352S供应商更新时间2025-6-12 16:31:00

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