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IRFD9210	文件：171.48 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-0.40A) DESCRIPTION TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerHEXFETdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •D	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9210	文件：1.45559 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. The4pinDIP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9210	文件：797.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION ThepowerMOSFETstechnolo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9210PBF	文件：1.45559 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishayadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. The4pinDIP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9210PBF	文件：1.75197 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerHEXFETdesignarchieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •D	IRF International Rectifier	IRF
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IRFE9210	文件：134.97 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFET®TRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersth	IRF International Rectifier	IRF
IRFE9210	文件：138.25 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9210	文件：130.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtr	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9210	文件：16.67 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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产品属性

产品编号：
DC-ME-9210-LX
制造商：
Digi
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - 嵌入式 - MCU，DSP
系列：
Digi Connect ME®
包装：
盒
板类型：
评估平台
类型：
MPU
核心处理器：
ARM9
操作系统：
Linux
平台：
JumpStart
使用的 IC/零件：
Digi Connect® ME 9210 模块
安装类型：
固定
内含物：
板，电缆，电源，配件
描述：
JUMPSTART DIGI CONN ME 9210 MOD

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