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DB25SQF5	文件：381.78 Kbytes Page：3 Pages	D-SUBMINIATURE RIGHT ANGLE .590 [15.00] MOUNT 文件：381.78 Kbytes 页数：3 Pages	ADAM-TECH 亚当科技	ADAM-TECH
DB25SQF6	文件：381.78 Kbytes Page：3 Pages	D-SUBMINIATURE RIGHT ANGLE .590 [15.00] MOUNT 文件：381.78 Kbytes 页数：3 Pages	ADAM-TECH 亚当科技	ADAM-TECH
DB25SQR3	文件：381.78 Kbytes Page：3 Pages	D-SUBMINIATURE RIGHT ANGLE .590 [15.00] MOUNT 文件：381.78 Kbytes 页数：3 Pages	ADAM-TECH 亚当科技	ADAM-TECH
K2000G	文件：3.6673 Mbytes Page：5 Pages	丝印：DB200BW；Package：DO-15；Sidac Features Excellent capability of absorbing transient surge Quick response to surge voltage (ns Level) Glass passivated junctions High voltage lcmp ignitors 文件：3.6673 Mbytes 页数：5 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
K2200G	文件：3.6673 Mbytes Page：5 Pages	丝印：DB220BW；Package：DO-15；Sidac Features Excellent capability of absorbing transient surge Quick response to surge voltage (ns Level) Glass passivated junctions High voltage lcmp ignitors 文件：3.6673 Mbytes 页数：5 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
K2400G	文件：3.6673 Mbytes Page：5 Pages	丝印：DB240BW；Package：DO-15；Sidac Features Excellent capability of absorbing transient surge Quick response to surge voltage (ns Level) Glass passivated junctions High voltage lcmp ignitors 文件：3.6673 Mbytes 页数：5 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
K2600G	文件：3.6673 Mbytes Page：5 Pages	丝印：DB260BW；Package：DO-15；Sidac Features Excellent capability of absorbing transient surge Quick response to surge voltage (ns Level) Glass passivated junctions High voltage lcmp ignitors 文件：3.6673 Mbytes 页数：5 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
DB200B	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压双向触发二极管	Jingheng 晶恒	Jingheng
DB200K	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压双向触发二极管	Jingheng 晶恒	Jingheng
DB200M	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压双向触发二极管	Jingheng 晶恒	Jingheng

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技术参数

VBO_Max(A)：
215
IT(A)：
1
VT(V)：
2
ITSM(A)：
20
RS(KΩ)：
0.1
IH_TYP(mA)：
40
IH_MAX(mA)：
100
VDRM(V)：
90
IDRM(V)：
5
IB(uA).：
10
OUTLINE：
DO-41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	DB2		25+	SOT6	3629	原装优势!房间现货!欢迎来电!	询价
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更多DB2供应商更新时间2025-10-10 15:56:00

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