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D965ASS	文件：75.66 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES * Collector current up to 5A * D965SS : Collector-Emitter voltage up to 20 V * D965ASS : Collector-Emitter voltage up to 30 V APPLICATIONS * Audio amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit 文件：75.66 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
D965-R	文件：93.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Power Dissipation: PCM=0.75W @ Tamb=25°C • Collector Current: ICM=5A • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Marking: D965T/R • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates Compl 文件：93.64 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
D965SS	文件：75.66 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES * Collector current up to 5A * D965SS : Collector-Emitter voltage up to 20 V * D965ASS : Collector-Emitter voltage up to 30 V APPLICATIONS * Audio amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit 文件：75.66 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
D965-T	文件：93.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Power Dissipation: PCM=0.75W @ Tamb=25°C • Collector Current: ICM=5A • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Marking: D965T/R • Lead Free Finish/Rohs Compliant (PSuffix designates Compl 文件：93.64 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
D965-TO-92	文件：530.47 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（ NPN ） FEATURES Power dissipation PCM : 0.75 W（ Tamb=25℃） Collector current ICM : 5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 42 V Operating and storage junction temperature range TJ， Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：530.47 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
D965V	文件：404 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● General Purpose Switching and Amplification. 文件：404 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
D965V	文件：1.44177 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D965V；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES General Purpose Switching and Amplification. 文件：1.44177 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
D965V-TA	文件：1.44177 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D965V；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES General Purpose Switching and Amplification. 文件：1.44177 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
D965_15	文件：278.02 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistor 文件：278.02 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
D965A	文件：137.06 Kbytes Page：4 Pages	LOW VOLTAGE HIGH CURRENT TRANSISTOR 文件：137.06 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

PCM(W)：
0.75
IC(A)：
5
VCBO(V)：
42
VCEO(V)：
22
VEBO(V)：
6
hFEMin：
340
hFEMax：
2000
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.35
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
3
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
TO-92

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