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D880	文件：124.56 Kbytes Page：3 Pages	Bipolar Junction Transistor FEATURES ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION Charger、Emergencylampand Electrictoycontrolcircuit	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
D880	文件：90.17 Kbytes Page：1 Pages	LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER ●ComplementtoB834 ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=150V ●CollectorDissipation:PC(max)=30W	ELITEElite Enterprises (H.K.) Co., Ltd. 精电企业精电企业(香港)有限公司	ELITE
D880Y	文件：50.71 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PLASTIC POWER TRANSISTOR NPN2SD880Y 3A30W Collector-EmitterVoltage:VCEO=60V DCCurrentGain:20@IC=3A *TO-220Package	USHA Usha India Ltd.	USHA
D881	文件：83.86 Kbytes Page：7 Pages	HIGH RELIABILITY FOR LOW COST FEATURES -HIGHRELIABILITYFORLOWCOST -WIDEFREQUENCYRANGE -SMDPACKAGESWITHSMALLDIMENSIONSANDLOWPROFILE -EXCELLENTATTENUATIONBEHAVIOUR	PETERMANN PETERMANN-TECHNIK	PETERMANN
D882	文件：277.09 Kbytes Page：2 Pages	Plastic Encapsulate Transistors NPNTypePlasticEncapsulateTransistors D882TO-126Package	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
D882	文件：481.48 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
D882	文件：126.74 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR FEATURES Powerdissipation PCM:500mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
D882	文件：304.45 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●Lowsaturationvoltage. ●ExcellenthFElinearityandhighhFE. ●Lesscrampingspacerequiredduetosmallandthin Packageandreducingthetroubleforattachmenttoa radiator. APPLICATIONS ●Poweramplifierapplication.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
D882	文件：198.3 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ●Lowsaturationvoltage. ●ExcellenthFElinearityandhighhFE. ●Lesscrampingspacerequiredduetosmallandthin Packageandreducingthetroubleforattachmenttoa radiator. APPLICATIONS ●Poweramplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
D882	文件：397.43 Kbytes Page：2 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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