Full blocking capability 50/60Hz over a wide temperature range

Key Parameters     VBO / VRRM 5800 V / 6800 V    IFAVM 770 A (TC=100 °C)    IFSM 3570A (T 12500 A C=55°C)    VT0 0,84 V    rT 0,87 mΩ    RthJC 28 K/kW    Clamping Force 10 … 16 kN    Max. Diameter 58,5 mm    Contact Diameter 34 mm    Height 26,4 mm Features • Full blocking capability 5

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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

Rectifier Diode

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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

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二极管盘

D711N 整流二极管圆盘组装在高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳中，直径为 58 毫米，高度为 26 毫米。 • 完全阻断能力 50/60 Hz*\n • 高直流阻断稳定性\n • 高浪涌电流能力\n • 密封陶瓷封装\n • 高外壳不断裂电流\n • *适用于较宽的温度范围;

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Rectifier Diodes

\n优势:\n• 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节;

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Package：DO-200AB，B-PUK；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 6KV 1070A

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Package：DO-200AB，B-PUK；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 6.5KV 1070A

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Package：DO-200AB，B-PUK；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 6.8KV 1070A

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