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AOD484	文件：622.65 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D484；Package：TO-252；N-Channel 30 V (D-S) MOSFET APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：622.65 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
D484	文件：144.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOD484 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard Product AOD484 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD4 文件：144.78 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
D4840-10	文件：746.81 Kbytes Page：7 Pages	Series 1 480 VAC 文件：746.81 Kbytes 页数：7 Pages	crydom	crydom

详细参数

型号：
D484
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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