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STD4NK60Z-1	文件：731.33 Kbytes Page：32 Pages	丝印：D4NK60Z；Package：IPAK；N-channel 600 V, 1.7 Ω typ., 4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packages Description These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure 文件：731.33 Kbytes 页数：32 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD4NK60ZT4	文件：731.33 Kbytes Page：32 Pages	丝印：D4NK60Z；Package：DPAK；N-channel 600 V, 1.7 Ω typ., 4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packages Description These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure 文件：731.33 Kbytes 页数：32 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
D4NK60Z	文件：731.33 Kbytes Page：32 Pages	N-channel 600 V, 1.7 Ω typ., 4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packages Description These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure 文件：731.33 Kbytes 页数：32 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
D4NK60Z
功能描述：
MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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