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D45H11G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail;	NJS New Jersey Semiconductor	NJS
D45H11G	文件：68.07 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
D45H11G	文件：87.33 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
D45H11G	文件：102.9 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
D45H11G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 10A TO220	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HD45H11	文件：23.99 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHD45H11isdesignedforvariousspecificandgeneralpurposeapplications,suchas:outputanddriverstagesofamplifiersoperatingatfrequenciesfromDCtogreaterthan1MHz;series,shuntandswitchingregulators;lowandhighfrequencyinverters/converters;andmanyothers.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HI45H11	文件：22.56 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHI45H11isdesignedforvariousspecificandgeneralpurposeapplications,suchas:outputanddriverstagesofamplifiersoperatingatfrequenciesfromDCtogreaterthan1MHz;series,shuntandswitchingregulators;lowandhighfrequencyinverters/converters;andmanyothers.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HJ45H11	文件：23.02 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHJ45H11isdesignedforvariousspecificandgeneralpurposeapplications,suchas:outputanddriverstagesofamplifiersoperatingatfrequenciesfromDCtogreaterthan1MHz;series,shuntandswitchingregulators;lowandhighfrequencyinverters/converters;andmanyothers.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
KSE45H11	文件：40.86 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposePowerSwitchingApplications GeneralPurposePowerSwitchingApplications •LowCollector-EmitterSaturationVoltage:VCE(sat)=-1V(MAX)@-8A •FastSwitchingSpeeds •ComplementtoKSE44H	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSE45H11	文件：302.79 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :V(BR)CEO=-80V(Min) ·HighDCCurrentGain :hFE=60(Min)@(VCE=-1V,IC=-2A) ·LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.0V(Max)@(IC=-8A,IB=-0.4A) ·ComplementtoTypeKSE44H11 ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performance	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

产品属性

产品编号：
D45H11G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
频率 - 跃迁：
40MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP 80V 10A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	D45H11G	onsemi(安森美)	24+	TO-220	942	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
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