isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) • High Power Dissipation- : PC= 80W(Max)@TC=25℃ APPLICATIONS • Designed for high power amplifier and switching applications.

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ISC

无锡固电

双运算放大器电路

D4580内部包括有两个独立的、高增益、低噪声，输出电流大，低失真的运算放大器，适合于音频前置放大部分和有源滤波器，大电流输出的耳机放大器，也能用于工业测量单元。 \n D4580采用DIP8、SIP8、SOP8封装形式。 ·工作电压范围宽（±2V~±18V）\n·输入噪声电压低（0.8uVrms typ）\n·单位增益频带宽（典型15MHz）\n·失真低（典型0.0005%）\n·转换速率（5V/uS）\n·封装形式：DIP8、SOP8、TSSOP8;

Silicore

芯谷科技

NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FEATURES * 400 Volt VCEO * Ptot= 1 Watt COMPLEMENTARY TYPE – FCX558 PARTMARKING DETAIL – N58

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ZETEX

N-Channel Silicon JFET General Purpose, Low Noise, Audio Frequency Amplifier

Features: Very Low Noise Low Gate Current Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Gate–Drain Voltage, VGDO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50V Gate–Source Voltage, VGSO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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NTE

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FEATURES * 400 Volt VCEO * 0.5 Amp continuous current * Ptot= 1 Watt

文件：51.67 Kbytes 页数：2 Pages

ZETEX