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D4201N	文件：251.41 Kbytes Page：9 Pages	Full blocking capability 50/60Hz over a wide temperature range Key Parameters VRRM 2200 V IFAVM 4240 A (TC=100 °C) IFSM 3570A (T 88000 A C=55°C) VT0 0,668 V rT 0,083 mΩ RthJC 8,5 K/kW Clamping Force 36 … 52 kN Max. Diameter 121 mm Contact Diameter 86 mm Height 35 mm Features • Full blocking capability 50/60Hz over a w 文件：251.41 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
D4201N	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	Rectifier Diode Rectifier Diode 文件：266.93 Kbytes 页数：8 Pages	eupec	eupec
D4201N20T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diodes \n• 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节\n;	Infineon 英飞凌	Infineon
D4201N22T	文件：300 bytes Page：1 Pages	二极管盘 \n优势:\n• 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节;	Infineon 英飞凌	Infineon
D4201N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diode	Infineon 英飞凌	Infineon
D4201N18TS01VFXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AE；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE MODULE	Infineon 英飞凌	Infineon
D4201N20TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AE；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 2KV 6010A	Infineon 英飞凌	Infineon
D4201N22TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AE；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 2.2KV 6010A	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin：
4830/100
Housing：
Disc dia 120mm height 35mm / Ceramic
Configuration：
Rectifier Diodes
VF/IF[V/kA] @Tvj max：
0.94/4.0
VT0[V] @Tvj max max：
0.67
rT[mΩ] @Tvj max max：
0.08
Tvj[°C] max：
160
RthJC[K/kW] @180° el sin max：
9.2
Clamping force[kn] min：
36
Clamping force[kn] max：
52

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更多D4201供应商更新时间2025-10-31 9:05:00

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