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D40D10	文件：426.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR D40D series types are NPN silicon power transistors designed for amplifier and switching applications. The PNP complementary types are the D41D series. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：426.01 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
D40D10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 75V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-202	NJS 新泽西半导体	NJS
D40D10C	文件：214.9 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：214.9 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
B40D10	文件：340.58 Kbytes Page：6 Pages	POWER MODULES DIODE Description The B40J /B40C /B40D series of B-modules use power diodes in half0bridge configuration. The semiconductors are electrically isolated from the metal base allowing common heatsink and compact assemblies to be built. They can be interconnected to form single or three phase bridges. 文件：340.58 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF

晶体管资料

型号：
D40D10...11
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
90V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD529,3DA102B,
最大耗散功率：
4W
放大倍数：
图片代号：
A-61
vtest：
90
htest：
999900
atest：
1
wtest：
4

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@50mA@500mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
75V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
6250mW
Type：
NPN

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