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CBTD3306PW	文件：215.62 Kbytes Page：12 Pages	Marking：D306；Package：SOT530-1；Dual bus switch with level shifting 1.Generaldescription TheCBTD3306dualFETbusswitchfeaturesindependentlineswitches.Eachswitchisdisabled whentheassociatedoutputenable(nOE)inputisHIGH. TheCBTD3306ischaracterizedforoperationfrom-40°Cto+85°C. 2.Featuresandbenefits •Designedtobeusedin5Vt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
IDW30G65C5	文件：1.17544 Mbytes Page：11 Pages	Marking：D3065C5；Package：PG-TO247-3；SiC Silicon Carbide Diode 1Description ThinQ!™Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyforthe SiCSchottkyBarrierdiodes.Thankstothemorecompactdesignandthinwafer technology,thenewfamilyofproductsshowsimprovedefficiencyover allloadconditions,resultingfromboththeimprovedtherma	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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CBTD3306PW

文件：215.62 Kbytes

Page：12 Pages

Marking：D306；Package：SOT530-1；Dual bus switch with level shifting

1.Generaldescription TheCBTD3306dualFETbusswitchfeaturesindependentlineswitches.Eachswitchisdisabled whentheassociatedoutputenable(nOE)inputisHIGH. TheCBTD3306ischaracterizedforoperationfrom-40°Cto+85°C. 2.Featuresandbenefits •Designedtobeusedin5Vt

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

IDW30G65C5

文件：1.17544 Mbytes

Page：11 Pages

Marking：D3065C5；Package：PG-TO247-3；SiC Silicon Carbide Diode

1Description ThinQ!™Generation5representsInfineonleadingedgetechnologyforthe SiCSchottkyBarrierdiodes.Thankstothemorecompactdesignandthinwafer technology,thenewfamilyofproductsshowsimprovedefficiencyover allloadconditions,resultingfromboththeimprovedtherma

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
D306
功能描述：
低信号继电器 - PCB
RoHS：
否
制造商：
NEC
触点形式：
2 Form C(DPDT-BM)
线圈电压：
5 V
最大开关电流：
1 A
线圈电流：
1 A
线圈类型：
Non-Latching
功耗：
140 mW
端接类型：
SMT

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更多D306供应商更新时间2025-5-25 14:02:00

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